

15,20 zł Netto
NAND128W3A2BN6E to kompaktowa i niezawodna pamięć SLC NAND Flash o pojemności 128 Mbit, zgodna z interfejsem x8 i odporna na trudne warunki środowiskowe. Sprawdza się w systemach embedded, elektronice przemysłowej i aplikacjach wymagających trwałości danych.
128-megabitowa pamięć nieulotna typu NAND Flash z komórkami jednopoziomowymi (SLC), przeznaczona do zastosowań wymagających niezawodnego przechowywania danych. Układ pracuje z magistralą danych x8 oraz napięciem zasilania w zakresie 2,7–3,6 V. Pamięć podzielona jest na strony o rozmiarze 528 bajtów (512 bajtów danych + 16 bajtów ECC/spare).
Zintegrowane funkcje, takie jak szybkie kopiowanie stron bez konieczności buforowania zewnętrznego, unikalny numer identyfikacyjny oraz wysoka trwałość zapisu (do 100 tys. cykli P/E) sprawiają, że układ nadaje się do aplikacji przemysłowych i embedded.
Producent BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20
Osoba odpowiedzialna BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20
Pamięć eMMC 8GB; 153-ball VFBGA; 11,5 mm x 13,0 mm x 1,0 mm, 3,3 V, Micron Technology, Rohs
Pamięć flash z interfejsem QSPI o pojemności 8 Mb (1MB), pracująca z częstotliwością 104 MHz. Obudowa SOIC8, temperatura pracy -40°C ~ 85°C, producent Winbond
MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 4G x 8bit 48-Pin TSOP, Micron Technology Inc., RoHS
16 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface, STM, SO8, RoHS
Brak towaru
M25P32 32Mb 3V NOR Serial Flash Embedded Memory, SO8, Micron Technology Inc, RoHS
Brak towaru
64 Mbit Flash memory, (8Mb x8 or 4Mb x16), TSOP48, STM, RoHS
8 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface, STM, SO8, RoHS
NAND128W3A2BN6E to kompaktowa i niezawodna pamięć SLC NAND Flash o pojemności 128 Mbit, zgodna z interfejsem x8 i odporna na trudne warunki środowiskowe. Sprawdza się w systemach embedded, elektronice przemysłowej i aplikacjach wymagających trwałości danych.