FDC638APZ – Tranzystor MOSFET kanału P, 20V, 4.5A
search
  • FDC638APZ – Tranzystor MOSFET kanału P, 20V, 4.5A
ID: 571585
5906623498314
3,30 zł
Brutto

2,68 zł Netto

FDC638APZ to kompaktowy tranzystor unipolarny P-MOSFET o wysokiej wydajności przełączania i niskiej rezystancji, idealny do sterowania zasilaniem w urządzeniach mobilnych i aplikacjach embedded

24h
Dostępny
Dostępna ilość: 994

Opis

FDC638APZ to jednokanałowy tranzystor unipolarny MOSFET typu P wyprodukowany w technologii PowerTrench® przez firmę onsemi / Fairchild. Układ przeznaczony jest do zastosowań o małej mocy, takich jak sterowanie zasilaniem, konwersja DC/DC, obwody przełączające czy zarządzanie energią w urządzeniach przenośnych.

Dzięki niskiemu napięciu progowemu VGS(th) = 1,5 V oraz niskiej rezystancji RDS(on) = 43 mΩ, tranzystor zapewnia wysoką sprawność energetyczną przy zachowaniu niewielkich wymiarów. Pracuje z napięciem dren–źródło do 20 V i przewodzi prąd o natężeniu do 4,5 A. Zamknięty w miniaturowej obudowie SSOT-6, przystosowanej do montażu powierzchniowego (SMD), idealnie nadaje się do kompaktowych układów elektronicznych.

Właściwości

  • Producent: onsemi / Fairchild
  • Symbol: FDC638APZ
  • Typ: tranzystor unipolarny P-MOSFET
  • Technologia: PowerTrench
  • Obudowa: SSOT-6
  • Montaż: SMD/SMT
  • Polaryzacja: kanał P
  • Napięcie dren–źródło (VDS): 20 V
  • Prąd drenu (ID): 4,5 A
  • RDS(on): 43 mΩ
  • VGS: ±12 V
  • VGS(th): 1,5 V
  • Qg (ładunek bramki): 12 nC
  • Strata mocy (PD): 1,6 W
  • Czas narastania/opadania: 20 ns / 20 ns
  • Opóźnienie włączenia/wyłączenia: 6 ns / 48 ns
  • Transkonduktancja: min. 18 S
  • Zakres temperatury pracy: -55°C do +150°C
  • Wymiary: 2,9 × 1,6 × 1,1 mm
  • Masa: 36 mg
  • Zgodność z RoHS: tak
571585

Producent BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20

Osoba odpowiedzialna BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20

Produkty z tej samej kategorii (4)