FDT434P – Tranzystor MOSFET kanału P, 20V, 6A
search
  • FDT434P – Tranzystor MOSFET kanału P, 20V, 6A
ID: 577537
5906623498369
3,51 zł
Brutto

2,85 zł Netto

FDT434P to niskonapięciowy tranzystor P-MOSFET o niskiej rezystancji i wysokiej szybkości przełączania, przeznaczony do zastosowań zasilających i przełączających w układach SMD

24h
Dostępny
Dostępna ilość: 973

Opis

FDT434P to jednofazowy, tranzystor MOSFET kanału P wykonany w technologii PowerTrench® firmy onsemi (dawniej Fairchild), przeznaczony do zastosowań wymagających niskiej rezystancji przewodzenia i dużej wydajności przełączania. Dzięki napięciu dren–źródło 20 V i prądowi ciągłemu do 6 A, świetnie sprawdza się w aplikacjach zasilania, przełącznikach obciążenia i sterowaniu silnikami.

Zoptymalizowany do pracy w trybie wzmocnienia (enhancement mode), posiada niską rezystancję RDS(on) równą 50 mΩ, co minimalizuje straty mocy. Układ oferuje również szybkie czasy przełączania – czas narastania 15 ns, czas opadania 30 ns – i jest zamknięty w kompaktowej obudowie SOT-223-4, przeznaczonej do montażu powierzchniowego (SMD).

Właściwości

  • Producent: onsemi / Fairchild
  • Symbol: FDT434P
  • Typ: MOSFET kanału P
  • Napięcie dren–źródło (VDS): 20 V
  • Prąd ciągły drenu (ID): 6 A
  • Rezystancja RDS(on): 50 mΩ
  • Napięcie bramka–źródło (VGS): ±8 V
  • Moc strat (PD): 3 W
  • Tryb pracy: Enhancement
  • Obudowa: SOT-223-4
  • Styl montażu: SMD/SMT
  • Czas narastania: 15 ns
  • Czas opadania: 30 ns
  • Czas opóźnienia załączenia/wyłączenia: 8 ns / 45 ns
  • Zakres temperatury pracy: –55°C do +150°C
  • Transkonduktancja: ≥6,5 S
  • Wymiary: 6,5 × 3,5 × 1,8 mm
  • Masa: 112 mg
  • Seria: PowerTrench
  • RoHS: zgodny
577537

Producent BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20

Osoba odpowiedzialna BTC Korporacja sp. z o. o. Lwowska 5 05-120 Legionowo Polska sprzedaz@kamami.pl 22 767 36 20

Produkty z tej samej kategorii (4)