5,15 zł
TC4424EPA - szybki podwójny sterownik MOSFET
ID: 560224
18,38 zł
Brutto
14,94 zł Netto
Układ firmy Microchip w obudowie DIP8, podwójny driver, pozwala na wysterowanie tranzystorów MOSFET z duża prędkością przełączania. Sterownik cechuje się niskim poborem prądu, dużą wydajnością prądową przy ładowaniu np. pojemności bramki, czy też odpornością ESD do 4kV
Opis
Układ firmy Microchip w obudowie DIP8, podwójny driver, pozwala na wysterowanie tranzystorów MOSFET z duża prędkością przełączania. Sterownik cechuje się niskim poborem prądu, dużą wydajnością prądową przy ładowaniu np. pojemności bramki, czy też odpornością ESD do 4kV
Do pobrania
560224
Produkty z tej samej kategorii (16)
- Octal high-side smart power solid state relay with serial/parallel selectable interface on chip, PowerSSO36, STM, RoHS42,88 zł 24hDostępna ilość: 1 Dostępny
- Quad high side smart power solid state relay, PowerSO-10, STM, RoHS60,06 zł 24hDostępna ilość: 3 Dostępny
- Enhanced single channel power switches, SO-8, RoHS, STMicroelectronics12,14 zł 24hDostępna ilość: 9 Dostępny
- 5.7-V, 6-A, 16-mΩ On-Resistance Load Switch, WSON8, Texas Instruments, RoHS11,77 zł 4 tyg.
Brak towaru
Brak towaru
Brak towaru
- DMOS Driver for three-phase brushless dc motor, SO24, STM, RoHS40,37 zł 24hDostępna ilość: 1 Dostępny
- Hex buffers/drivers with open collector high-voltage outputs, SOP14, RoHS1,77 zł 24hDostępna ilość: 69 Dostępny
- Dostępny
- Hex Inverted Buffers with Open-Collector Outputs, SOIC14, Texas Instruments, RoHS1,50 zł 24hDostępna ilość: 76 Dostępny
- Enhanced single channel power switch, SOT23-5, STM, RoHS4,53 zł 24hDostępna ilość: 44 Dostępny
- Dostępny
- ISO High Side Smart Power Solid State Relay, VIPower, PowerSO-10, STM, RoHS16,08 zł 24hDostępna ilość: 7 Dostępny
- Dostępny
Brak towaru
Brak towaru
Układ firmy Microchip w obudowie DIP8, podwójny driver, pozwala na wysterowanie tranzystorów MOSFET z duża prędkością przełączania. Sterownik cechuje się niskim poborem prądu, dużą wydajnością prądową przy ładowaniu np. pojemności bramki, czy też odpornością ESD do 4kV