MT41K128M16JT-125:K

MT41K512M16HA-125 to 8 Gb pamięć DRAM DDR3, która pracuje z częstotliwością do 800 MHz przy niskim napięciu 1,35 V, idealna do systemów wymagających wysokiej przepustowości i energooszczędności. Dzięki organizacji 512Mx16 i zakresowi temperatury pracy od 0°C do 90°C, pamięć ta oferuje szybki dostęp do danych i niezawodność w różnorodnych zastosowaniach, takich jak serwery i komputery przemysłowe.

Pamięć SDRAM DDR3 2Gb, 1.5V

ISSI IS42S32800J-6BLI to niskonapięciowa pamięć SDRAM 256 MB, zorganizowana jako 8 MB x 32 bity, pracująca z częstotliwością do 166 MHz. Dzięki kompaktowej obudowie BGA90 i zakresowi temperatur pracy od -40°C do +85°C, jest idealna do zastosowań w systemach wbudowanych oraz urządzeniach przemysłowych i konsumenckich.

Pamięć DRAM 64Mb APS6404L-3SQR-SN to szybki i energooszczędny układ, idealny do systemów wbudowanych, aplikacji IoT i urządzeń przenośnych, działający w trybie SDR z interfejsem QSPI i częstotliwością do 133 MHz. Zapewnia wysoką wydajność przy niskim poborze mocy, co czyni go optymalnym wyborem dla wymagających zastosowań.

AS4C16M16SA-7TCN, Pamięć SDRAM 256Mb (16Mx16bit), 54-TSOP II

EDB4432BBBJ-1D-F-D to 4-gigabitowy układ pamięci LPDDR2 SDRAM firmy Micron Technology, oferujący organizację 128M x 32 bitów i maksymalną częstotliwość taktowania 533 MHz. Działa w zakresie napięć zasilania od 1,14 V do 1,95 V i jest zamknięty w 134-pinowej obudowie WFBGA o wymiarach 10 x 11,5 mm.